Spektroskopie und Analyse von Komponenten für die EUV-Lithografie und EUV-Maskeninspektion (EUV-4-LITHO)

Extrem-ultraviolette (EUV) Strahlung ist Licht mit sehr kurzer Wellenlänge und wird in der sogenannten EUV-Fotolithografie zur Herstellung der kleinsten Halbleiterbauelemente eingesetzt. Dabei wird die Strukturinformation einer Fotomaske mit einem verkleinernden Mikroskop auf eine vorher präparierte Siliziumscheibe abgebildet. Die auf diesem „Silziumwafer“ geschriebenen Nanostrukturen bilden die Grundlage für moderne Computerchips und Informationsspeicher. Für die nächste Generation der EUV-Lithografie-Anlagen wird es von großer Bedeutung sein, die Fotomaske mit EUV-Strahlung hinsichtlich Defekten zu untersuchen.

Im Projekt EUV-4-LITHO wird eine kompakte Laser-getriebene EUV-Quelle entwickelt, mit der Komponenten getestet und optimiert können, die in Anlagen zur EUV-Lithografie und EUV-Maskeninspektion eingesetzt werden. Besonderer Fokus liegt hierbei auf der breitbandigen Vermessung von Vielschichtsystemen, die in EUV-Spiegeln und EUV-Fotomasken eingesetzt werden. Mit Kooperationspartnern aus dem In- und Ausland wird ein hochauflösendes EUV-Spektrometer entwickelt, mit dem sich Vielschichtsysteme mit bisher unerreichter Präzision vermessen lassen.